Do pełnej funkcjonalności strony potrzebujesz włączonej obsługi skryptów. Tu znajdziesz instrukcje, które pozwolą Ci włączyć skrypty w Twojej przeglądarce.
KK-Nano 2022 - abstrakt Rafał Dunal

Plakat Rafał Dunal (P07-Pon)

Ściągnij plik z abstraktem

Przełączanie rezystywne w układach opartych o dichalkogenki metali przejściowych

Rafał Dunal, Maciej Rogala, Dorota Anna Kowalczyk, Karol Szałowski, Witold Kozłowski, Iaroslav Lutsyk, Michał Piskorski, Paweł Krukowski, Paweł Dąbrowski, Maxime Le Ster, Aleksandra Nadolska, Przemysław Przybysz, Wojciech Ryś, Klaudia Toczek, Paweł Janusz Kowalczyk

Katedra Fizyki Ciała Stałego, Wydział Fizyki i Informatyki Stosowanej, Uniwersytet Łódzki, Pomorska 149/153, 90-236 Łódź, Polska


Przełączanie rezystywne to zdolność materiału do trwałej zmiany swojej rezystancji pod wpływem przyłożonego pola elektrycznego. Dzięki prostocie budowy układów przełączanych rezystywnie, zjawisko to może zostać zastosowane w obszarze technologii nieulotnej komputerowej pamięci. Komórki pamięci w technologii przełączania rezystywnego to struktury metal/izolator(półprzewodnik)/metal. Stymulacja warstwy izolatorowej (lub półprzewodnikowej) za pomocą pola elektrycznego o odpowiednio wysokim natężeniu powoduje trwałą zmianę rezystancji, której wartość może reprezentować określony stan logiczny komórki pamięciowej. Efekt ten jest odwracalny, co pozwala na programowanie komórek między dwoma lub w niektórych przypadkach większą ilością stanów logicznych.

Aby zmaksymalizować wydajność takich układów, niezbędne jest dokładne scharakteryzowanie procesów fizycznych odpowiedzialnych za przełączanie rezystywne. Aby tego dokonać prowadzimy badania z użyciem mikroskopu sił atomowych wyposażonego w sondę przewodzącą (CAFM), co pozwala badać topografię oraz lokalne zmiany przewodnictwa w układach z warstwami dichalkogenków metali przejściowych. Są to materiały o wzorze ogólnym MX2 gdzie M oznacza atom metalu przejściowego natomiast X to atom tlenowca (np. selen, tellur lub polon). Jedną z głównych zalet tych materiałów jest możliwość otrzymywania atomowo cienkich struktur, co wiąże się z możliwością efektywnego energetycznie przełączania bardzo ograniczonych objętości materiału. Przedstawimy lokalne zmiany przewodnictwa w warstwach MoS2, który jest jednym z najbardziej obiecujących materiałów dwuwymiarowych do zastosowania w tej technologii, ze względu na swoje właściwości elektroniczne i łatwość syntezy monowarstwy.