Plakat Aleksandra Nadolska (P24-Wt)
BADANIE MONOWARSTW MOO3-X NA POTRZEBY PROCESÓW PRZEŁĄCZANIA REZYSTYWNEGO
Wydział Fizyki i Informatyki Stosowanej, Uniwersytet Łódzki, Pomorska 149/153, 90-236 Lodz, Polska
Tlenki metali przejściowych posiadają wiele unikalnych własności, dzięki którym mogą mieć szerokie zastosowanie w przemyśle elektronicznym i optoelektronicznym. Jednym z intensywnie badanych obecnie obszarów zastosowań układów tlenkowych jest konstrukcja pamięci ReRAM (Resistive Random Access Memory), co jest związane ze zjawiskiem przełączania rezystywnego. Szczególnie interesującym przypadkiem, w badaniach efektów przełączania, są warstwy dwuwymiarowe tej grupy materiałów. W takich układach materiał, w bardzo niewielkim obszarze, zmienia opór elektryczny pod wpływem stymulacji napięciem. To z kolei gwarantuje wysoką szybkość i nioską energochłonność procesów przełączania rezystywnego. Materiałem, który pozwala na uzyskanie w pełni stabilnej warstwy dwuwymiarowej jest tlenek molibdenu (MoO3-x ).
Prezentowane będą dwuwymiarowe warstwy tlenkowe, które wytworzono przy użyciu epitaksji z wiązek molekularnych w ultrawysokiej próżni. Osadzone zostały one na wysoko zorientowanym graficie pirolitycznym, który jako podłoże przewodzące stanowi jedną z elektrod układu przełączania rezystywnego. Z kolei przewodząca sonda mikroskopu sił atomowych użyta została jako druga elektroda, co umożliwia precyzyjne przełączanie w nanoskali oraz dalszą charakteryzację warstwy. Aktualnie badania skupiają się na wykorzystaniu mikroskopii sił atomowych w celu analizy morfologii powierzchni oraz własności elektrycznych monowarstw MoO3-x.
Niniejsze badania są wspierane przez Narodowe Centrum Nauki w ramach projektów 2020/38/E/ST3/00293, 2016/21/B/ST5/00984 i 2018/30/E/ST5/00667.
